COC共晶機
1.PH-550 是 COB,COC 制程中將基底與芯片,在 CDD 定位后經(jīng)過控制溫度曲線熔化焊料從而鍵合在一起 的共晶設(shè)備。
2.設(shè)備主要由共晶臺,貼片機械手,晶圓臺(含晶 片盒),下校準臺,上下料機械手等組成。
3.共晶臺包含 X、Y、T 三軸系統(tǒng)組成,上面設(shè)置共 晶加熱模塊,氮氣保護系統(tǒng)。
4.貼片機械手包含 X、Y、Z、T 四軸機構(gòu),對芯片 的位置,角度校準。
5.芯片校準臺包含 X、Y、T 三軸機構(gòu),對芯片上表 面進行識別,保證貼片精度。
6.共晶模塊采用脈沖加熱方式,溫度可分段設(shè)定, 溫度升降及焊接時間可精準控制。
一、 基本功能
項目 |
內(nèi)容 |
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共晶產(chǎn)品 |
COC |
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基底上料方式 |
2寸料盒 |
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晶片上料方式 |
熱沉 |
6寸晶圓,兼容一個2寸Waffle PAK |
芯片 |
6寸晶圓,兼容一個2寸Gel PAK |
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共晶臺 |
1 |
脈沖共晶臺 |
共晶方式 |
逐個共晶 |
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共晶效率 |
單顆20秒左右(基底+熱沉+LD芯片) |
二、 控制部分
項目 |
內(nèi)容 |
操作界面 |
圖形用戶界面,無線鍵鼠操作+獨立啟停按鈕 |
全機初始化 |
界面按鈕 |
氣缸控制 |
界面按鈕 |
傳感器狀態(tài)檢查 |
界面按鈕 |
運動軸位置檢查 |
界面控制 |
速度調(diào)整 |
界面控制 |
生產(chǎn)信息 |
界面顯示 |
三、 圖像識別
項目 |
內(nèi)容 |
CCD數(shù)量 |
6套 |
CCD用途 |
熱沉晶圓定位 |
熱沉底部定位 |
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芯片晶圓定位 |
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芯片正面校準定位 |
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共晶臺定位 |
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CCD對焦方式 |
機械手動調(diào)節(jié) |
CCD分辨率 |
1280×960 |
CCD鏡頭 |
變倍鏡頭:0.6 - 7倍 |
CCD相機 |
130萬像素 |
光源 |
同軸光源 |
外置LED環(huán)形光 |
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光源亮度調(diào)整 |
可獨立調(diào)整識別/觀察亮度 |
識別方式 |
邊沿識別,特征教導,相似度設(shè)定 |
角度識別范圍 |
0~360° |
角度辨識錯誤率 |
≤1‰ |
模板特征編輯 |
可擦除遮蔽干擾特征 |
四、 機械手部分
項目 |
內(nèi)容 |
|
吸嘴切換 |
手動更換 |
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吸頭材質(zhì) |
金屬吸嘴,電木吸嘴 |
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機械手指定 |
LD拾取機械手 |
從晶圓拾取LD芯片,放置校準臺 |
LD共晶機械手 |
從校準臺拾取LD芯片,貼放共晶 |
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熱沉拾取貼片機械手 |
從熱沉晶圓拾取熱沉,貼放共晶 |
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管座拾放機械手 |
從管座料盤取放管座 |
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定位重復精度 |
X軸 |
±1 um |
Y軸 |
± 1 um |
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Z軸 |
± 2 um |
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θ軸 |
± 0.01° |
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電機類型 |
X軸 |
直線電機 |
Y軸 |
直線電機 |
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Z軸 |
步進電機 |
|
θ軸 |
步進電機 |
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取置壓力控制方式 |
吸頭自重+彈簧 |
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取置壓力范圍 |
拉力彈簧,壓力范圍10~200g(更換拉簧規(guī)格) |
五、 脈沖共晶臺部分
項目 |
內(nèi)容 |
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共晶方式 |
脈沖加熱 |
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共晶面積范圍 |
20x20 mm |
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共晶工作臺 |
X軸 |
± 2 um |
Y軸 |
± 2 um |
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Z軸 |
----------- |
|
θ軸 |
范圍±10°精度± 0.01° |
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電機類型 |
X軸 |
伺服電機 |
Y軸 |
伺服電機 |
|
Z軸 |
----------- |
|
θ軸 |
步進電機 |
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共晶臺加熱 |
電流脈沖 分段加熱 |
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共晶臺冷卻 |
風冷 |
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加熱速度 |
150°/sec |
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環(huán)境保護 |
氮氣環(huán)境 |
六、 基底上下料部分
項目 |
內(nèi)容 |
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機械手 |
X軸 |
± 2 um |
Y軸 |
± 2 um |
|
Z軸 |
± 2 um |
|
θ軸 |
----------- |
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電機類型 |
X軸 |
伺服電機 |
Y軸 |
伺服電機 |
|
Z軸 |
步進電機 |
|
θ軸 |
----------- |
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吸嘴 |
手動更換 |
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上下料方式 |
逐個取放 |
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料盒 |
兩個,2寸 |
七、 電氣需求
項目 |
內(nèi)容 |
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電力 |
電源類型 |
交流 |
電壓 |
220V |
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相數(shù) |
單相 |
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功率(峰時) |
6000W |
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壓縮空氣 |
0.5 ~ 0.7MPa |
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真空 |
氣壓范圍 |
60 ~90kPa |
重量 |
1500kg |
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其它 |
氮氣 |
吸嘴及共晶臺 |
壓縮空氣過濾器 |
部件 |
|
真空過濾器 |
部件 |
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環(huán)境溫度要求 |
26℃ |
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環(huán)境振動要求 |
VC-D |
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設(shè)備噪音 |
<50分貝 |
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真空泵噪音 |
<60分貝 |
八、 附件一(隨機資料)
項目 |
內(nèi)容 |
說明書——中文操作說明書 |
紙質(zhì)版、電子版各一份/臺 |
圖紙——電路圖 |
電子版1份 |
圖紙——氣路圖 |
電子版1份 |
九、 附件二 (參數(shù))
設(shè)備尺寸 |
X1640×Y1420×Z1840(mm) |
重量 |
1500KG |
功率(峰時) |
6KW |
氣壓 |
0.5~0.7MP |
電壓 |
220W |
生產(chǎn)效率 |
單顆20秒左右(基底+熱沉+LD芯片) |
位置精度 |
±2μm |
角度精度 |
±0.01° |
固晶壓力 |
10~200g |
晶圓尺寸 |
6"×2(tray 2"X2") |
共晶臺面尺寸 |
20x20 mm |
芯片尺寸 |
0.2~2mm(其它尺寸需選配)
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